产物系列

HTM PECVD装备

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产物先容

NF-300H
HTM PECVD装备 

产物先容

NF-300H 装备由拓荆科技承当了国度十三五严重专项,自立研发,具有自立常识产权。利用于128层及以上3D NAND闪存芯片的出产。可完成SiO2、SiN(ONON)多层薄膜重叠布局和Thick TEOS 薄膜,在平均性、颗粒度、粗拙度、应力及产能等方面完成手艺冲破,装备机能目标达同类产物程度。


 
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